一、化合物概貌
1、終產物特殊性:
- 顯示電壓電流經營規模:2.7V-24V
- 放入輸出功率投資額:4.5V-24V
- 集變成兩根18mΩ FET
- 可語言編程轉換開關谷值工作電流:15A
- 可調節節電源開關頻率:到達2.2MHz
- 可供求平衡短路電流斷掉副作用的柵極安裝驅動
- 主動封控虛接無球營養價值
- 二極管封裝:QFN3.5x4.5-20L
2、回收利用意思圖:
3、產品形容
PL32001不是款24V云同步升壓改換器,原帶適用于電流斷線的柵極控制器。它集變為兩低導通額定功率電容的額定功率場定律晶胞管(FET):一些導通額定功率電容為18mΩ的面板開關FET和一些導通額定功率電容為18mΩ的整流FET。 PL32001容忍自因應固定關斷時間閥值工作電壓工作電流表現樣式有節制。它都具有一類有益于不斷進步輕載效應的外接特別。當手機輸入工作電壓工作電流較低時,PL32001將進人不持繼導通表現樣式(DCM)。PL32001的可設施武器裝備擺才特別富含可編序逐時間是工作電壓工作電流一定、可編序轉換開關周期好處和表現樣式挑好好處。 PL32001在關斷時可以也許將顯示端與顯示端撇清。一經顯示端引起跳閘,它會邁入打嗝方式有以下降熱地應力,以及在跳閘生態消弭后可相互規復。別的,它還具備著過壓擋拆(OVP)和熱擋拆藥理作用,盡可能的防止發動機組升溫止產生通病轉動。
4、杰出典范應用處景
- 藍牙楊聲器
- Thunderbolt標準接口
- 輕便式用卡機(POS)終端機
- 電子廠煙
5、封裝形式企業信息
6、管腳界說和營養價值描述
管腳藥理作用描敘
序號 | 稱號 | 描寫 |
---|---|---|
1 | VCC | 外部穩壓器的輸入端,在該引腳與地之間須要一個大于4.7μF的陶瓷電容 |
2 | EN | 使能引腳。將其拉高以使集成電路開啟,不要讓該引腳處于懸空狀況 |
3 | FREQ | 開關頻次由該引腳與SW引腳之間的一個電阻停止設定。在現實利用中,該引腳不能懸空 |
4 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
5 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
6 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
7 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
8 | BST | 自舉引腳。在開關引腳(SW)和自舉引腳(BST)之間毗連一個0.1μF或容量更大的電容器,以便為高側柵極驅動器供電 |
9 | VIN | 輸入電源引腳。利用一個大容量電容將VIN引腳旁路至地(GND),并且最少還要利用一個0.1微法(μF)的陶瓷電容,以消弭輸入到集成電路(IC)的噪聲。將這些電容安排在接近VIN引腳和GND引腳的地位 |
10 | VCC | 外部穩壓器的輸入端,在該引腳與地之間須要一個大于4.7μF的陶瓷電容 |
11 | AGND | 摹擬地 |
12 | DISDRV | 這是外部斷開場效應晶體管(FET)的柵極驅動輸入引腳。將DISDRV引腳毗連到外部場效應晶體管的柵極。若是不利用負載斷開功效,則使該引腳懸空 |
13 | MODE | 這是操縱形式挑選引腳。有一個2兆歐的外部電阻將此引腳毗連到參考電壓(VREF)。當該引腳為邏輯高電日常平凡,啟用持續導通形式(CCM);為邏輯低電日常平凡,啟用不持續導通形式(DCM);若引腳懸空,則啟用超同步調制形式(USM) |
14 | VBUS | 升壓轉換器的輸入引腳,外部毗連到高壓側場效應晶體管(HSFET)的漏極 |
15 | VBUS | 升壓轉換器的輸入引腳,外部毗連到高壓側場效應晶體管(HSFET)的漏極 |
16 | VBUS | 升壓轉換器的輸入引腳,外部毗連到高壓側場效應晶體管(HSFET)的漏極 |
17 | FB | 反應輸入引腳。FB引腳用于檢測輸入電壓,經由過程一個毗連在輸入端和地之間的電阻分壓器與FB引腳相連。FB是一個敏感節點,應使FB引腳闊別開關引腳(SW)和自舉引腳(BST) |
18 | COMP | 這是外部偏差縮小器的輸入引腳。環路彌補收集需毗連至COMP引腳和摹擬地(AGND)引腳。COMP是一個敏感節點,要讓它闊別SW引腳和BST引腳 |
19 | ILIM | 可調節的高壓側場效應晶體管(LSFET)峰值電流限定。需毗連一個電阻到摹擬地(AGND) |
0 | PGND | 功率接地。高壓側場效應晶體管(LSFET)的源極外部毗連到功率地(PGND) |
二、廚藝word文件
范例 | 標題 | 上傳時候 | 文檔下載 |
化合物年紀書(因為) | PL32001_Datasheet_V1.0 | 2025/05/06 | PDF下載 |
三、用打算
序號 | 標題 |
1 |
智能窗簾利用計劃
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1 |
無線充利用計劃
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